随着AI的发展，主要应用于AI芯片模块的高带宽内存（HBM）一直备受市场关注。A股的HBM概念自2025年4月9日刷出阶段新低开始长红配资，截至1月20日早盘结束，不到十个月时间大涨126.75%。
个股而言，香农芯创成这期间的“涨幅王”，上涨了535.04%。精智达紧随其后，涨幅为298.87%。次新股西安奕材-U排在第三，涨幅为212.99%。整体来讲，HBM板块的26股，2025年4月9日以来有12股股价翻倍，整体上涨中位数达89.61%。
四巨头需求持续增加
当前市场对于HBM的良好预期，在于巨头们，尤其英伟达、AWS、谷歌和AMD四家AI芯片公司对于HBM的需求的持续高涨。
根据半导体产业纵横援引TrendForce数据，HBM产品主要用于AI芯片模块长红配资，英伟达、AWS、谷歌和AMD四家AI芯片公司占据HBM需求的95%。2025年的主流产品是HBM3e，2026年的主流产品仍将是HBM3e，堆叠的DRAM芯片数量或将从8个增加到12个。
2025年HBM出货及销售额占DRAM的比例提升明显，出货量从2024年的5%提升至8%、销售额占比从19%提升至33%。2026年，HBM出货及销售额占比有望进一步提升，分别至9%和41%。
巨头“烧钱”押注HBM
在这样的背景下，市场对于HBM未来的市场空间表达了乐观。SK海力士预计，从2025年到2030年，HBM市场将以年均33%的速度增长。另一芯片巨头美光科技更加乐观一些，其预计HBM潜在市场规模（TAM）的复合年增长率（CAGR）约为40%，从2025年的350亿美元增长至2028年的1000亿美元，这一市场规模将超过2024年整个DRAM市场规模。
Counterpoint的数据显示，截至2025年9月末，全球以收入计的HBM市场份额中，SK海力士占据了57%的市场份额长红配资，三星占据22%的市场份额，美光占据21%的市场份额。
鉴于此，巨头们增加了资本开支。SK海力士日前表示，公司已决定投资19万亿韩元（约合129亿美元）在韩国建设一家先进的芯片封装厂，以满足与人工智能（AI）相关的、激增的存储芯片需求。新工厂将于2026年4月启动建设，目标是2027年底完工。SK海力士表示，全球AI领域的竞争不断加剧，正推动对AI专用存储器的需求急剧上升，这也凸显出公司需积极应对市场对高带宽存储芯片（HBM）日益增长的需求。
而三星的龙仁国家产业园项目，预计在2026年下半年开工，2031年完工。该项目总投资360万亿韩元，占地约728万平方米，建设6座晶圆厂、配套3座发电厂及60-80家上下游企业。项目主要聚焦AI 时代的系统半导体与 HBM 等高带宽存储。
美光也在2026财年展现出更具侵略性的扩张姿态，在此前的业绩说明会上，美光计划将2026财年的资本支出增加至约200亿美元，高于此前估计的180亿美元。这一增量资金将集中用于两点：扩充HBM封装产能，以及加速1-gamma（1γ）工艺节点的全面铺开。
往后看，国盛证券表示，打破内存墙瓶颈，HBM已成为DRAM市场增长主要驱动力。HBM解决带宽瓶颈、功耗过高以及容量限制等问题，已成为当下AI芯片的主流选择。
华泰证券指出，2026年全球三大存储企业（SK海力士、三星、美光）的资本开支或将集中在HBM/DRAM上。根据TrendForce预测，2026年DRAM位增长率或将达到26%。存储超级周期有望成为2026年半导体行业重要主线，但呈现结构性分化特征，Batch ALD设备、测试设备及封装加工设备的市场需求有望明显增长。
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